美光收跌2.05%确认AI内存需求强劲供应紧张延至2027-2028
美光科技（MU.US）周五收跌2.05%，成交额达289.01亿美元，美光台湾董事长董慧璐确认AI推动内存需求强劲，公司同步推进四大基地扩产，HBM供应紧张预计延续至2027至2028年
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美光收跌2.05%确认AI内存需求强劲供应紧张延至2027-2028英伟达收跌0.72%伯恩斯坦看好存储景气至2027年并下调Rubin Ultra HBM假设
英伟达（NVDA.US）收跌0.72%，成交额达227.95亿美元，董事会批准追加1500亿美元回购额度，剩余授权总额升至2350亿美元。伯恩斯坦看好存储芯片景气延续至2027年，并下调Rubin Ultra HBM需求假设
美光科技收涨6.1%加速HBM产能翻倍抢占英伟达订单
美光科技（MU）周五收涨6.10%，成交额达349.05亿美元。公司计划年底前将HBM月产能提升至约10万片晶圆，较去年接近翻倍，并加速量产英伟达Vera Rubin架构的HBM4 12层产品，力争缩小与SK海力士、三星电子的差距
美光收涨0.22% 计划将HBM产能扩大一倍追赶三星
美光科技周四收涨0.22%，成交额达227.87亿美元，公司计划将高带宽内存（HBM）产能较去年扩大一倍，并强化HBM4 12层产品供货能力，以追赶三星电子和SK海力士
SK海力士收跌2.60%成交83亿美元 上半年利润增超5倍却不及预期 HBM与AI内存驱动历史最佳盈利
SK海力士（SKHY.US）收跌2.60%，成交额83.57亿美元，上半年营业利润同比增长超5倍，Q2营收79.32万亿韩元、净利润93.92万亿韩元环比增133%，2026年资本开支预计超40万亿韩元
SK海力士收跌8.81%成交40.5亿：三星与SK海力士将在硅谷宣布重大AI合作 HBM长期供应协议
SK海力士（SKHY.US）收跌8.81%，成交额40.5亿美元，三星与SK海力士将在硅谷宣布HBM长期供应协议及AI数据中心投资，韩国总统李在明出席AI峰会，存储芯片板块短期承压
美光科技MU收跌1.17% 美银上调目标价至1550美元 HBM市场2030年将达2460亿美元增长7倍
美光科技（MU.US）7月22日收跌1.17%报959.48美元，成交额297.32亿美元，美银证券分析师Vivek Arya将目标价从1500美元上调至1550美元并维持买入评级。美银预测HBM市场规模将从约350亿美元扩张至2030年…
美光科技涨1.94%成交327.91亿 存储芯片扩产引发周期过剩担忧 中国产能成变量
美光科技（MU.US）周一收高1.94%，成交额达327.91亿美元，但三星、SK海力士与美光股价自高点跌幅均超30%。摩根士丹利预计2028年前中国新增DRAM产能将占全球增量30%，通用DRAM供需格局或面临重塑
SK海力士跌9.32%成交87.9亿美元 HBM定价滞后叠加扩产担忧 AI周期峰值信号引发回调
SK海力士（SKHY.US）周一收跌9.32%，成交额达87.9亿美元，韩国本土股价暴跌15.37%创历史最大单日跌幅，韩国投资证券二季度营业利润预测较市场共识低约8%，HBM定价滞后与HBM4出货延迟叠加扩产周期担忧引发回调
闪迪SNDK涨4.07%成交226.79亿美元 发布3D堆叠专利集成GPU与HBM NAND 破解AI存储瓶颈
闪迪（SNDK.US）周一上涨4.07%，成交额达226.79亿美元，自3月31日低点以来累计涨幅超175%。公司披露基于CBA存储晶粒的3D堆叠专利，将GPU与HBM集成于NAND之上，旨在破解AI存储容量瓶颈
英伟达涨0.78%成交302亿！黄仁勋时隔7个月访韩 深化HBM与三星SK海力士合作
英伟达（NVDA.US）周四收涨0.78%，成交额302.73亿美元，CEO黄仁勋时隔约7个月将访问韩国，与三星电子、SK海力士讨论HBM及晶圆代工合作，深化AI供应链布局
美光科技跌0.53%成交456亿！AI内存需求驱动684%暴涨后仍具万亿市值潜力
美光科技（MU.US）周四收跌0.53%，成交额达456.5亿美元，过去一年累计涨幅684%。公司凭借HBM技术从周期存储供应商转型为准基础设施企业，第二财季业绩超预期并给出强劲指引，市值一度逼近万亿规模
美光科技股价创历史新高 收涨6.31%成交264亿美元 AI内存需求爆发驱动
美光科技（MU.US）周一股价收涨6.31%创历史新高，单日成交额264.88亿美元，受SK海力士暴涨12%及AI推理需求推动，HBM内存供应紧张预计持续至2027年
美光科技股价周一收高5.60%再创历史新高 成交213.57亿美元 高盛大幅上调2026年DRAM价格涨幅至250%-280% NAND至200%-250% AI服务器需求引爆供需紧缺
美光科技（MU.US）周一股价收高5.60%再创历史新高，成交额达213.57亿美元。高盛大幅上调2026年DRAM价格涨幅预期至250%-280%，NAND至200%-250%，指出AI服务器需求旺盛、HBM挤占产线及库存低位共同加剧供…
周一美股存储概念股集体走强 三星电子Q2 DRAM供货价格较Q1上调约30% 覆盖HBM及通用DRAM AI需求持续推升内存价格
周一美股存储概念股集体走强，三星电子Q2 DRAM供货价格较Q1上调约30%，覆盖HBM及通用DRAM，AI需求持续推升内存价格，希捷科技、闪迪、西部数据及美光科技等个股均录得涨幅
AMD CEO苏姿丰下周赴韩会见三星李在镕锁定HBM供应！AI芯片内存大战升级，与Naver CEO同步磋商，缺席英伟达GTC凸显供应链优先
AMD首席执行官苏姿丰计划于3月18日访问韩国，会见三星电子会长李在镕及Naver首席执行官Choi Soo-yeon，首要目标是锁定AI芯片所需高带宽内存HBM的长期供应保障
英伟达200亿吸纳Groq SRAM技术 黄仁勋加速推理芯片布局 HBM需求不降反升
英伟达（NVDA.US）以约200亿美元非独占技术授权协议吸纳Groq的LPU技术与创始人Jonathan Ross等核心团队，加速AI推理芯片布局。机构KIS指出，Groq片上SRAM架构并非HBM替代品，而是超低延迟推理的互补路径，H…
英特尔+软银重磅联手！Z-Angle Memory（ZAM）全球首秀，功耗降40-50%、单芯片512GB容量，剑指HBM霸主地位
英特尔与软银旗下SAIMEMORY联合研发的Z-Angle Memory于2026年2月3日全球首秀，功耗降低40%-50%，单芯片容量最高512GB。该技术采用垂直堆叠架构，原型计划2027年推出，商业化预计2030年实现，剑指HBM霸…
美光科技2026年资本支出增至200亿美元：HBM全售罄，内存紧缺将持续至2026年后
美光科技（MU）在财报电话会上宣布2026年资本支出增至200亿美元，较原计划180亿美元增加约11%，并透露2026年HBM产能已全部售罄，内存紧缺将持续至2026年之后
内存狂飙时代美光重磅退出Crucial消费业务！HBM收入飙至20亿美元，专注AI数据中心高毛利赛道
美光科技（MU.US）12月3日宣布全面退出Crucial消费级业务，库存出货至2026年2月，以聚焦AI数据中心高毛利赛道。公司HBM收入已突破20亿美元年化80亿，CEO Mehrotra称HBM产能售罄至2026年
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