美光科技收跌0.66%成交204亿 回购上限提至351.6亿美元
美光科技（MU.US）当日收跌0.66%，成交金额达203.73亿美元。董事会批准自2026年12月9日起，将可酌情回购普通股的最高金额上调至351.6亿美元，原有100亿美元计划尚余约22亿美元
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美光科技收跌0.66%成交204亿 回购上限提至351.6亿美元美光科技收跌4.79%成交304亿 OpenAI营收预期下调引爆AI股承压
美光科技当日收跌4.79%，成交金额高达304.13亿美元，英国金融时报报道OpenAI截至9月底年化营收接近500亿美元，低于此前700亿美元预期，引发AI产业链预期重新评估
美光科技收涨4.06%成交超320亿高盛称贡献标普盈利近两成
美光科技周三收涨4.06%，成交额高达321.95亿美元。高盛报告指出，美光科技预计贡献标普500三季度盈利增长的19%，英伟达贡献15%，两家公司合计增量约等于其余490只成分股贡献总和。存储板块走势分化，闪迪涨近2%，SK海力士跌超2%
美光科技收跌1.73%存储板块集体走低希捷跌超9%
美光科技（MU.US）周二收跌1.73%，成交220.27亿美元，希捷科技（STX.US）跌超9%，SK海力士、西部数据跌超6%，美股存储板块集体走低，市场对存储周期短期调整的担忧升温
美光科技收跌1.02%成交190.3亿美元存储芯片股表现落后大盘
美光科技（MU.US）周一收跌1.02%，全天成交额达190.3亿美元，在纳斯达克综合指数收涨并创历史新高的背景下表现明显落后大盘，成为半导体板块中相对疲软的标的之一
美光收跌2.05%确认AI内存需求强劲供应紧张延至2027-2028
美光科技（MU.US）周五收跌2.05%，成交额达289.01亿美元，美光台湾董事长董慧璐确认AI推动内存需求强劲，公司同步推进四大基地扩产，HBM供应紧张预计延续至2027至2028年
闪迪收涨2.75%花旗重申买入评级目标价2100美元
闪迪（SNDK.US）周四收涨2.75%，成交161.53亿美元，花旗分析师Atif Malik重申买入评级并维持目标价2100美元，美光科技第四财季业绩印证NAND供应紧张，预计供需偏紧延续至2028年
美光科技收涨3.03%打破纪录财报展望超预期锁定1500亿订单
美光科技（MU.US）公布打破多项纪录的季度财报并给出远超市场预期的前景展望，股价收涨3.03%，成交477.41亿美元。公司高管在财报电话会上称看不到供需平衡的尽头，人工智能驱动的内存超级周期动能被认为比外界预估更持久
美光收涨1.05%分析师重申2000美元目标价称GPU内存迎三位一体超级周期
美光科技（MU.US）收涨1.05%，成交额达206.71亿美元，分析师在财报发布前夕重申2000美元目标价，称GPU与内存迎来三位一体超级周期
纳指收涨0.8%创新高芯片股六连涨金融拖累道指下跌智能体AI成核心叙事
纳斯达克100指数周二收涨0.8%创历史新高，芯片股连续第六个交易日上涨，美光科技涨5%、英伟达涨0.66%领涨。道琼斯工业平均指数下跌0.4%，标普500指数基本收平，金融板块跌1.98%成最大拖累。黄金收涨0.4%至每盎司4361美元…
美光科技收涨5.50%成交212.86亿美元印度工厂启动商业化生产
美光科技周四收涨5.50%，成交额达212.86亿美元。首席执行官桑杰・梅赫罗特拉宣布，印度古吉拉特邦萨南德封装测试工厂已启动商业化生产，该项目由美光与印度政府共同投资约27.5亿美元
美光收跌0.11%前高管称内存短缺难缓解有意义新增供应需至2028年
美光科技周三收跌0.11%，成交金额185.43亿美元。前执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana表示，即使美光推进约20个扩产项目并大幅提高资本开支，当前内存严重短缺仍难短期缓解，有意义的新增供应需等到2028年
美光科技收涨0.39% 全球首款512GB DDR5内存模组完成验证
美光科技（MU.US）收涨0.39%，成交额达188.9亿美元，公司9月15日宣布完成全球首款512GB DDR5 RDIMM内存模组验证，传输速率最高9200 MT/s，单台双路服务器内存上限突破12TB
美光科技收跌5.25%成交246.64亿AI硬件链因CEO呼吁放缓大跌
美光科技最新收跌5.25%，成交额达246.64亿美元，受多家美国顶尖AI企业CEO呼吁放缓技术发展影响，AI硬件产业链股票大幅下挫，市场对存储需求增长可持续性的担忧升温
Bloom Energy纳入标普500夜盘涨超8%英特尔CPU再涨价10%存储股续强
美股夜盘Bloom Energy涨超8%，因被正式纳入标普500指数；英特尔涨超3%，消息称其CPU将再涨价10%；存储概念股续强，闪迪涨近3%，美光科技与SK海力士涨超2%
美光科技收涨6.1%加速HBM产能翻倍抢占英伟达订单
美光科技（MU）周五收涨6.10%，成交额达349.05亿美元。公司计划年底前将HBM月产能提升至约10万片晶圆，较去年接近翻倍，并加速量产英伟达Vera Rubin架构的HBM4 12层产品，力争缩小与SK海力士、三星电子的差距
美光收涨0.22% 计划将HBM产能扩大一倍追赶三星
美光科技周四收涨0.22%，成交额达227.87亿美元，公司计划将高带宽内存（HBM）产能较去年扩大一倍，并强化HBM4 12层产品供货能力，以追赶三星电子和SK海力士
美光科技收涨2.77%成交211.11亿美元存储板块资金关注度显著提升
美光科技（MU.US）收涨2.77%，成交金额达211.11亿美元，股价与成交同步走强，存储芯片龙头获资金积极关注，放量上涨反映机构与投资者参与度提升
美光收跌0.27%成交211亿 美银称九月存储供给满足率不足50%价格续涨
美光科技（MU.US）最新交易日收跌0.27%，全天成交金额达211.72亿美元。美银全球研究8月27日报告显示，9月现货市场通用DRAM及NAND供给满足率不足50%，模组厂商与白牌OEM普遍无法获得足量产品
美光科技收涨2.48%成交176.46亿美元存储板块多数走强
美光科技（Micron）美东时间周二收涨2.48%，成交金额达176.46亿美元。同日存储板块多数个股收涨，显示内存与存储芯片相关标的获得资金青睐，美光作为全球重要存储芯片供应商，其股价与成交表现成为观察板块情绪的重要窗口
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