華為能夠研發設計世界一流的芯片,麒麟9000、巴龍5000等芯片就是最好的例子,堪稱當時綜合表現最好的5nm 5G Soc。
芯片等規則被修改,臺積電等廠商就不能自由出貨了,導致麒麟9000等芯片暫時無法生產制造。
更深層次的原因是,目前僅有臺積電、三星能夠量產7nm、5nm等芯片,國內廠商因為缺少EUV光刻機無法展開研發、制造等。
要知道,國內廠商早在2019年就全款訂購了一臺EUV光刻機,但ASML至今都沒有發貨。
因為ASML的EUV光刻機不能自由出貨,甚至連外企中國分廠出貨都受到的約束。
也就是說,沒有EUV光刻機,要想生產制造高性能、先進的芯片,只能另辟蹊徑。
更何況,梁孟松都說EUV光刻機到貨后,就能夠展開5nm等芯片的全面研發任務。
而EUV光刻機融合了全球四十多個國家的高端技術,供應商數量就高達數百家,要想生產制造EUV光刻機并非一朝一夕就能實現的。
所以在芯片等規則被修改后,華為就全面進入芯片半導體領域,并通過哈勃投資了國內相關芯片產業鏈,加速實現半導體設備等技術突破。
如今,華為正在打造不使用EUV光刻機的芯片,可以說,至少已有三種備選方案。
首先,堆疊技術的芯片。
堆疊技術芯片并不是什么新技術,很早就被應用在PC、服務等設備的芯片上,但蘋果的M1 Ultra芯片將堆疊芯片推向了大眾市場。
在蘋果推出堆疊技術芯片前,華為就發布了多個與堆疊技術相關的專利,主要與堆疊方式、功耗等有關。
蘋果推出M1 Ultra芯片后,華為就表示未來將會推出堆疊技術芯片,用面積換性能,讓華為有高性能芯片可用。
因為制程不先進的芯片,通過堆疊技術后,也能夠變成高性能芯片,避開對EUV光刻機的依賴。
據了解,華為堆疊技術芯片有望在2023年前后出現。
其次是光電芯片。
據悉,華為投身光電芯片領域已有十余年時間,期間還收購多家與光電芯片技術有關的企業,并計劃在英國建設光電芯片等研發中心。
用任正非的話說,光電芯片可以完全繞開美芯技術,就是不用EUV光刻機也能夠打造出來先進的芯片。
相比傳統的硅芯片而言,光電芯片還具有傳輸速度快、承載量更大等特點。
關鍵是,光電芯片已經成為趨勢,荷蘭已經計劃投資11億歐元到光電芯片領域,德國也開始展開光電芯片相關課題的研究。
也就是說,華為已經引領了光電芯片潮流,技術遙遙領先。甚至有消息稱,美要求華為共享光電芯片技術,但這更像一個笑話。
最后是非美技術芯片生產線。
芯片等規則被修改后,很多國家和廠商都開始研發芯片制造技術,降低美芯技術的依賴。
其中,歐洲投資超430億歐元到芯片領域,日本推出了NIL工藝等。
國內廠商也在全力突破中,國產90nm光刻機已經實現了突破,可以將芯片制程縮小至22nm。
華為也曾表示,未來三五年內,就有會非美技術的芯片生產線出現,屆時,華為芯片問題將會逐步緩解。
畢竟,NIL工藝在不通過EUV光刻機的情況下,將芯片制程縮小至5nm;國產90NM光刻機可以將芯片制程縮小至22nm,等等。
也就是說,只要非美技術的芯片生產線出現,華為就可以用這些生產線去制造芯片了。
所以才說華為正在打造不用EUV光刻機的芯片,至少已有三種備選方案。對此,你們怎么看。
本文轉自:白蘿卜科技
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