ASML的時代正在劃上“句號”，一切都在發生中

提到光刻機，就繞不開ASML，因為其研發制造的光刻機幾乎占領了中高端市場，尤其是EUV光刻機，更是生產制造7nm等芯片的必要設備。

但由于瓦森納協議的存在，ASML的EUV光刻機不能自由出貨，芯片等被修改后，EUV光刻機也不能向外企中國分廠出貨。

即便是DUV光刻機，也只能向特定的廠商出貨，這就導致很多芯片企業紛紛選擇新出路。

例如，日本廠商聯合推出了NIL工藝，可以將芯片制程縮小至5nm；先進的封裝工藝和堆疊技術芯片也隨著出現，不用改變芯片制程，卻能將性能大幅度提升。

新工藝、新技術不斷出現，這降低了對ASML光刻機的需求，但美仍要求ASML進一步收緊國際主流光刻機的出貨，結果遭到了ASML的反對。

盡管ASML一直都在努力實現自由出貨，提升EUV光刻機的普及率，但現實是，ASML的時代正在劃上“句號”，一切都在發生中。

首先是光電芯片技術。

光電芯片不同于傳統的硅芯片，其具備更快的傳輸速度和承載量，更適合光通訊和萬物聯網時代，很多廠商都將光電芯片視為硅芯片的替代產品。

在光電芯片領域，華為處于領先地位，已經在該領域內布局十年，并計劃在英投資10億英鎊建設全球研發中心。

芯片等規則被修改后，光電芯片發展速度再次提升，因為光電芯片可以完全繞開美芯技術。

荷蘭投資11億歐元研發光電芯片，欲打造另外的一個ASML，換句話說就是光電芯片技術更先進，更適合未來，關鍵還是還能夠自由出貨。

其次，ASML承認NA已經到了盡頭。

ASML的光刻制造技術最為先進，目前的EUV光刻機可以將芯片制程縮小到3nm，甚至是2nm，但難度卻不斷提升。

ASML正在研全新一代Hihg NA EUV光刻機，孔徑值為0.55，其可以將芯片制程縮小到2nm以下，達到1.8nm，甚至更小。

ASML已經正式對外宣布，將會在明年某個時間點交付High NA EUV光刻機，但ASML認為High-NA 將是最后一個NA，當前半導體光刻技術之路或已走到盡頭。

另外,ASML方面還表示正在研究降低波長，但他個人不認為 Hyper-NA 是可行的，他們正在對其進行研究。

這就意味著High NA EUV光刻機將會是最后一個升級型號，未來不會有精度更好的NA 光刻機出現，雖然ASML也在研發其它技術，但目前沒有方案。

最主要的是，ASML之前也明確表示High NA EUV光刻機之后，將會把重點放在環保方面，說白就是降低功耗，節約能源。

最后，亞納米分辨率光刻機出現，但并非A研發制造。

0.768納米光刻機誕生，但這并非ASML研發制造，而是一家名為Zyvex Labs的原子精密制造技術推出的。

據了解，該公司并沒有用EUV技術，而是采用了電子束光刻機方式，可以制造出來0.768納米線寬的芯片，這是ASML光刻機技術無法達到的精度。

關鍵是，0.768納米光刻機并非實驗室產品，而是一款可以量產的產品，用戶下單后就能夠在6個月內拿到該光刻機。

要知道，ASML全新一代High NA EUV光刻機的精度在1nm以上，預計交付時間是明年某個時間點，還沒有準確的時間表。

總結一下就是，光電芯片正在成為新趨勢，而ASML表示High NA EUV光刻機將是盡頭，而更先進的0.768納米光刻機又出現了。

所以才說ASML的時代正在劃上“句號”，一切都在發生中。

本文轉自:白蘿卜科技