要想生產制造芯片,就必須得有光刻機,因為其是生產制造芯片的必要設備。
全球范圍內,ASML的光刻機技術最為先進,其生產制造的DUV光刻機和EUV光刻機幾乎占領了中高端市場,更是生產制造28nm以下芯片的必要設備。
但由于芯片等規則被修改,結果導致臺積電、ASML等企業均不能自由出貨。
要知道,海思芯片都是臺積電代工生產制造的,臺積電不能自由出貨,海思系列芯片就暫時無法生產制造。
ASML也不能自由出貨,華為想用ASML的設備自建生產線也難。
在這樣的情況下,華為開始全面進入芯片半導體領域內,不僅自研更多種類的芯片,還要在新材料和終端制造方面實現突破。
早些時候,華為方面正式對外表示沒有計劃自建芯片生產線,因為其涉及的產業鏈過于龐大,沒有任何一個廠商可以做到。
但就芯片問題,華為也道出了解決辦法。
華為方面稱芯片等規則被多次修改,已經讓產業鏈看清楚的情況,未來三五年,必然會有新的芯片產業鏈出現,屆時,華為芯片問題也隨之解決。
從華為給出的說法來看,這是繞過ASML,直接通過產業鏈突破的方式解決芯片問題。
簡單說就是,華為將芯片問題的希望放在芯片產業鏈上,國內芯片產業鏈突破了,華為芯片問題就隨著解決,或者說其它企業采用了非美技術打造的芯片技術等。
當然,華為之所以這么做,主要是因為芯片研發投資實在太大了,關鍵是產業鏈太長,即便是華為從頭開始做,基本上也是出力不討好。
因為華為缺少的是先進制程的芯片高端芯片,而這些芯片制造基本上都離不開ASML的EUV光刻機,但ASML不能自由出貨,連外企中國分廠出貨都不行。
當然,除了光刻機之外,還有其它因素的影響,像EDA軟件、芯片制造所需要的原材料以及其它技術等。
中芯國際都表示,想要在10nm以下芯片上實現突破,這是比較難的。
所以華為換個了一個賽道,其通過哈勃不斷投資國內相關芯片產業鏈,目的就是加速產業鏈突破,畢竟,術業有專攻。
另外,華為自身也在研發相關芯片技術,主要集中在兩點。
第一點,堆疊技術芯片。
堆疊技術芯片并非什么先進的技術,該技術早就出現了,不同的是,過去主要都是英特爾、AMD等廠商在用,而堆疊技術的芯片往往也是用在超級計算機等大型設備上。
如今,蘋果推出了堆疊技術芯片,并將該芯片帶到了消費者市場,這讓華為看到了在消費者市場使用堆疊芯片的希望。
華為自身都表示未來將會采用堆疊技術的芯片,讓華為產品也有高性能芯片可用。
第二點,光電芯片。
光電芯片是完全可以繞開美技術的芯片,任正非也明確表達了這一觀點,所以華為早就計劃在英投資超10億英鎊建設研發中心,主要就是研發光電芯片。
當然,華為目前在光電芯片領域內處于領先地位,但華為研發光電芯片并不僅僅是為了徹底打破美芯的限制,也是因為光電芯片屬于下一代芯片技術。
數據顯示,相比傳統的硅芯片而言,光電芯片擁有更快的傳輸速度、更大的傳輸量,其更適合萬物聯網和光通訊。
也正是因為如此,荷蘭也已經計劃投資11億歐元到光電芯片領域內,希望在下一代芯片技術依舊能夠保持領先。
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本文轉自:白蘿卜科技
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