當下國內市場最為關心的技術就是光刻機，而出現這樣的情況，完全是因為芯片國產化的進程所引導，特別是在2020年，《新時期促成集成電路產業和軟件高質量發展的若干政策》頒布，提出5年實現芯片自給率70%的目標之后，國內的造芯勢力變得越來越強大。
而在相關扶持之下，我國的半導體制造產業鏈也是迅速爆發，特別是在芯片指令集架構、半導體用光刻膠等方面更是一飛沖天，實現了重大突破。
但是，光刻機技術卻一直是國內芯片技術之中被重點
的對象，究其原因是因為在芯片制造產業鏈中包含著非常復雜的過程，而在這個過程中需要用到的技術有很多，諸如離子注入機、等離子蝕刻機、反應離子刻蝕系統等。
在這些技術中，有些我國企業已經走在了世界領先水平，例如上海中微半導體設備公司研發的等離子刻蝕機已經達到了3nm水準，處于世界一線水平。
但是，有些技術卻存在短板，其中水平最低的就是光刻機，這也是光刻機備受
的根本，但是，這種情況其實不光是存在我國市場，當下全球除了荷蘭、日本之外，其他地區也同樣無法造出高精度光刻機，甚至老美在光刻機制造領域的技術還比不上我們。
因為，目前上海微電子已經可以批量生產用于制造90nm芯片的光刻機了，這是除了荷蘭ASML、日本尼康、佳能之外，比較先進的水平。
并且，在2020年上海微電子還傳出消息顯示，將在2021年到2022年交付第一臺28nm工藝的國產沉浸式光刻機。這也就意味著我國在芯片制造領域又邁進了先進一步。
而距離2022年底還有6個月，這六個月任何時候28nm國產光刻機的問世，都代表國產光刻機的關鍵時刻來臨，因為一旦28nm光刻機國產化，伴隨著華為芯片堆疊技術以及中芯國際的代工技術，華為的麒麟芯片將重新復蘇，同時也讓我國芯片設計企業更有底氣。
所以說，28nm光刻機的問世的確意義重大，而之所以沒有說在短時間追求14nm或者更高工藝的光刻機，本質上并非是我國企業的技術不行，而是供應鏈的問題，這也是之前ASML公司敢說把圖紙給我們，也造不出EUV光刻機的原因。
因為EUV光刻機的零部件高達10萬之眾，而這些零部件絕大部分都是來源于不同地區的不同公司，例如極紫外光的光源來源于老美，而鏡頭來源于德國萊卡。
所以說，更多的時候，可能是我國企業的制造技術已經成熟，只是受限于供應鏈不夠完善，才出現了光刻機技術發展緩慢的問題，而當下我國突破EUV光刻機的核心辦法，除了加強光源技術的突破之外，還在不斷培養國內相關供應鏈企業的崛起，因為只有國內眾多企業的合力才能夠快速解決EUV光刻機的問題。
至于ASML公司認為我國造不出EUV光刻機，其實是太低估我國企業的實力了，就拿上海微電子來說，雖然光刻機的發展進度有些慢，達不到世界一流水準，但是上海微電子的跨步還是非常快的，從280nm再到110nm再到90nm，以及接下來的28nm，相信很快就可以推進到14nm。
一旦到了14nm這個節點，那么在很大程度上我國的芯片精度發展就可能跨越10nm范圍，因為在90nm光刻機之下，通過過度曝光等方式是可以實現28nm光刻的，只不過成本方面不具備市場應用而已。
所以說，外媒方面認為我國絕對無法突破EUV光刻機技術，更多的只是沉浸在自己的幻想之中，EUV光刻機技術的確很難，但是這并不意味著其就無法被攻克。
你看好國產光刻機的發展嗎？
本文轉自:C君科技
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