拜登亞洲行首站訪問三星工廠 這家工廠有何特別？

財聯社5月20日訊（實習編輯 周子意）據美國和韓國近日公布的行程，美國總統拜登將于周五抵達韓國首爾，從而展開其首次亞洲訪問。在為時三天的訪韓行程內，他將與韓國新任總統尹錫悅等多方舉行會談，并參觀當地一些設施。

據媒體報道，拜登在當地時間5月20日下午抵達韓國烏山空軍基地后，將直接前往位于首爾以南70公里的平澤市三星半導體工業園區。

韓國總統府也證實了這次訪問，不過韓方仍將其定義為“暫定時間表”。

據媒體分析，供應鏈問題成為拜登的訪韓議程中的重要內容之一。由于全球國際貿易正面臨供應鏈中斷的壓力，而美韓將尋求在特定領域的經濟合作，特別是受供應鏈中斷影響的先進技術領域。拜登的目標是希望加強芯片、電池等產品的新生產和供應鏈韌性。

5月21日下午，拜登將前往龍山總統府與尹錫悅舉行會談。會談分為小型會談、擴大會談等環節，持續約90分鐘。會后，兩國領導人將共同會見記者，發表韓美聯合宣言。22日下午，拜登將啟程離開韓國，赴日本訪問。

尖端的半導體制造技術

成為拜登韓國訪問首站的三星平澤工廠，是世界上最大的半導體工廠群。整個平澤園區面積298萬平方米，相當于400個足球場大小。其中平澤2號半導體工廠總建筑面積12.89萬平方米，相當于16個足球場大小。

而三星正在建設的平澤3號工廠，占地70萬平方米，是2號工廠的 1.7 倍，建成后將成為全球單體最大的晶圓廠，單單這間工廠的投資額在240-400億美元。

據韓聯社報道，在訪問三星平澤工廠期間，三星副會長李在镕親自率隊陪同。三星電子將會向拜登展示其尖端的半導體制造技術——商用環繞式柵極（Gate-All-Around，GAA）技術。

此技術號稱可在5納米節點提供超越現有FinFET工藝的晶體管密度，而FinFET是臺積電在3納米工藝上采用的技術。三星公司此前預計，基于GAA技術下設計的新一代3納米半導體將在未來幾個月后大規模量產。

此外，以GAA技術為基礎，三星還將開發出第二代GAA技術，即3GAP（Gate-All-Around Plus），預計于2023年開始量產。

代工能力之爭

據三星電子的一位相關人員表示，“三星向拜登展示3nm芯片的舉動，意在強調其代工能力可以超過臺積電（TSMC）”。

臺積電是中國臺灣地區的一家全球知名半導體芯片制造商，業內稱之全球芯片“代工之王”。作為全球第二大芯片代工廠的三星與臺積電一直處于激烈競爭中，雙方都希望能通過率先將3納米芯片推向大眾市場，從而戰勝對手。

據三星此前介紹，與現階段市場上使用的5納米芯片制程相比，GAA技術允許芯片的尺寸縮小35%，同時性能提高30%、能耗降低50%。

三星還補充道，其2納米的制程節點尚處于開發的早期階段，計劃將于2025年大規模生產。

行業跟蹤機構TrendForce的數據顯示，去年第四季度，臺積電占據了全球代工市場的52.1%，三星以18.3%緊隨其后。

本文轉自:科創板日報