光伏熱場龍頭切入第三代半導體 下游空間就此打開？

《科創板日報》（編輯 鄭遠方），碳基復合材料的應用正逐步從光伏向半導體，甚至是第三代半導體邁進。

日前，金博股份宣布，與天科合達達成戰略合作，合作期五年。一方面，雙方將共同研發用于第三代半導體的熱場材料、保溫材料與粉體材料；另一方面，金博將以優于市場的價格、優先保供天科合達；天科合達在同等性價比條件下，優先采購金博的熱場、保溫與粉體材料。

此前，金博股份在半導體領域已通過神工股份、山東有研半導體（有研硅）、海納半導體等公司認證。而公開資料顯示，天科合達主營業務為第三代半導體碳化硅晶片的研究、開發及生產。

本次合作也意味著第三代半導體廠商對碳基復合材料的青睞。

實際上，除了已被大眾熟知的光伏熱場，碳基復合材料還可應用于半導體熱場。

出于降本需求，半導體硅片主流尺寸如今已增至12英寸，目前全球約七成的半導體硅片產能可生產12英寸硅片。不過，大尺寸硅片需要更大投料量的單晶爐，而隨著單爐投料量從120kg增至650kg以上，傳統石墨熱場承重能力難以支撐，業內主流觀點認為，后續行業將切換到抗折強度高的碳基復合材料熱場。

除去已獲金博股份供應的前述幾家公司之外，也有多家海外半導體巨頭已與東洋碳素、西格里等碳素企業形成長期合作關系。

而如今，以碳化硅為首的第三代半導體興起，更為碳基復合材料熱場填上一層增量空間。前文提及的東洋碳素、西格里均選擇逐步退出光伏市場，將重心放在半導體——尤其是碳化硅上。

隨著新能源汽車、光伏等下游領域發展漸入佳境，碳化硅器件需求隨之見漲，而襯底正是SiC器件的關鍵環節，占全產業鏈價值鏈47%，對產業放量具有決定性作用。

其中，高純碳化硅粉體是制備碳化硅襯底的關鍵原材料，其純度、顆粒度、晶型等性能，對襯底生長質量、電學性能，甚至碳化硅器件質量都有著重要影響。

另外，目前行業內普遍采用物理氣相傳輸法（PVT）生長碳化硅單晶襯底，熱場主要采用細結構石墨，隨著技術進步和單晶碳化硅尺寸增加，碳碳復合材料有望替代細結構石墨用作PVT熱場部件。

總體來說，進口熱場及保溫材料在襯底成本中占比40%。據東吳證券測算，實現本土化后，保守估計熱場占碳化硅整體投資價值的15%。2025年碳化硅熱場及保溫材料市場空間可達53億元，分析師認為，市場空間廣闊，且技術壁壘高，優先本土化的供應商有望獲得高市占率。

本文轉自:科創板日報