中芯國際頻傳好消息，臺積電、三星不愿看到的情況正在發生

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和臺積電，三星這兩大巨頭不同，中芯國際正在按照自己的方式發展未來。一方面中芯國際選擇在大陸市場加碼產能，另一方面深入布局FinFET以及特色工藝等技術。

而臺積電，三星選擇到美國投資建廠，卻未必能得到理想的回報。那么中芯國際在大陸市場的布局有哪些進展好消息呢？臺積電，三星押注美國市場，選對了嗎？

芯片制造領域匯聚眾多頂級巨頭，和一般的產業相比，芯片制造對技術、資本、人才等等都提出很高的要求，所以能成為巨頭的企業都不簡單。

以臺積電為例，這家企業成立了1987年，獨創芯片代加工模式，全球一半以上的芯片都是臺積電生產的，每年的營收均能創下新高。

另外三星僅次于臺積電，是世界第二的芯片制造商，并且集合了IDM模式，具備設計以及制造，封裝的能力。論產業綜合實力，臺積電也未必是三星的對手。

臺積電，三星都在朝著3nm等高端先進工藝出發，瞄準高端制程攻克一代又一代的技術。目前為止，也只有臺積電，三星能實現7nm及以下芯片制造，也許將來英特爾也能實現類似的工藝突破，但不是現在。

臺積電，三星都在向著高端工藝出發，但是中芯國際卻在成熟工藝展開布局，這是為何？

需要明白的是，芯片制程的價值是需要放在需求端體現的。只有符合需求的芯片制程，才能發揮最大的價值，否則即便是高端芯片，也只會出現性能過剩的情況。

就比如消費者采購一款家用電器，或者購買一輛汽車，使用28nm芯片制程就足夠了，若使用5nm芯片，除了增加成本，還會造成性能過剩的情況。

所以中芯國際結合自身的技術優勢，發揮芯片制程的需求價值是正確的選擇。

好消息是，中芯國際還在擴大成熟工藝產能。其打算在天津投資75億美元建設12英寸晶圓廠，規劃月產能為10萬片，一年就是120萬片，這距離國產芯片70%的自給率目標又進了一步。

另外中芯國際在55nm BCD工藝平臺完成第一階段的研發，進入小批量試產。

這里的55nm和常說的28nm，7nm，5nm等制程都不一樣。中芯國際突破的55nm是BCD工藝，這種工藝也叫做單片集成技術，就是集成三種不同的器件在一顆芯片上生產，具備優異性能的同時也有效降低功耗。

臺積電，三星不愿看到的情況正在發生，目前臺積電，三星在BCD工藝平臺的制程只有65nm，全球第一個突破BCD工藝技術的意法半導體廠商也才90nm。由此可見，中芯國際在BCD工藝平臺的技術積累已經到了全球領先的水準。

不僅如此，中芯國際在FinFET衍生平臺也有多個開發成果穩定導入客戶，在智能家居，消費電子有廣泛的應用前景。

總的來看，中芯國際頻傳好消息，在28nm芯片工廠建設，55nm BCD工藝平臺已經FinFET衍生技術中都邁出了穩健的前進步伐。

臺積電和三星在全球芯片制造市場占有重要的地位，所以是美國極力拉攏的對象。一般的條件或許無法吸引臺積電，三星到美國建廠，于是美國拿出了巨額補貼。同時還想要將日本，韓國以及臺灣省拉入所謂的“芯片四方聯盟”。

在各方面的利益誘惑下，臺積電答應了美國建廠的要求，在亞利桑那州投資120億美元建廠。而三星也有計劃在得克薩斯州投資170億美元建廠。

臺積電，三星押注美國市場的動作選對了嗎？恐怕選錯了。

有韓媒分析指出，美國推動“芯片四方聯盟”是為了削弱臺積電，三星的實力，從而給英特爾的發展讓路。

若果真如此，美國一定會在暗地里給臺積電，三星使絆子，然后給英特爾提供各方面的資源支持。

這倒是符合美國對“美企優先”的行事作風，過去的美國不管做什么事情，都會有相應的美企成為贏家。這次美國費盡心思搞芯片補貼，組建“芯片四方聯盟”肯定有更深層次的目的。

而美國扶持英特爾發展正好符合美國芯片崛起的需要，這種情況下，臺積電，三星押注美國市場，已經注定是錯誤的選擇。不管再怎么努力，也抵不過英特爾作為美企得到的資源支持。

觀察中芯國際布局大陸市場的舉動，未來大陸市場在提高芯片自給率的同時，中芯國際也能獲得更多的機會。和臺積電，三星押注美國市場的錯誤選擇相比，誰對誰錯一目了然。

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本文轉自:趣味科技秀