臺積電該醒醒了!一則新消息傳來,中芯國際做到了
在8月1日,臺積電董事長劉德音接受采訪時告知媒體,我們的高階芯片都依賴于臺積電的供應,所以如果臺積電無法運作會給我們帶來巨大損失。這番言論在網絡上引起了極大爭議,主流觀點認為,“不可否認,臺積電在高精度芯片代工制造方面的確有獨到的地方,但是這并不意味我們沒了臺積電就無法制造出高精度芯片”。
而劉德音的結論在于,目前中芯國際主要成熟的產線集中在55/65nm和150/180nm,這一點在中芯國際發布的2021年年報上有很好的反應,根據財報數據顯示,2021年中芯國際14/28nm營收占比為15.1%,40/45nm營收占比15%,55/65nm營收占比29.2%,90nm營收占比3.2%,110/130nm營收占比5.6%,150/180nm營收占比28.7%,250/350nm營收占比3.2%。
但是,不可忽略的是,目前中芯國際在14nm和28nm產線上也在快速追趕,貢獻率也是快速上升,并且根據9月14日,一則新消息傳來,上海舉辦的“奮進新征程 建功新時代”新聞發布會上傳來的講話內容顯示,上海集成電路產業規模已經達到了2500億元,14nm工藝實現規模量產,而目前有能力在上海實現14nm芯片技術支持的就是中芯國際。
這也就是說,目前中芯國際的14nm產線正在迅速爆發,未來14nm產線帶動的營收將在中芯國際的總營收中有更大的占比,這也是我們樂于看到的,畢竟中芯國際14nm產線的爆發意味著我們成功棲身高階芯片市場。
對于中芯國際的14nm要分兩個階段來看,如果是第一代的FinFET 14nm工藝的確有些不夠看,因為對比中芯國際14nm工藝代工的麒麟710A芯片和臺積電12nm工藝代工的麒麟710芯片來看,臺積電的晶體管密度大約為3380萬/平方毫米,而中芯國際的14nm工藝則僅僅是2820萬/平方毫米,這個差距自然是不言而喻的。
但是,要知道在2020年中芯國際開始加碼第二代芯片代工工藝,也就是FinFET N+1工藝,根據中芯國際官方的介紹顯示,N+1工藝和第一代的14nm工藝相比,性能提升了20%,功耗降低了57%,邏輯面積縮小了63%,Soc面積減少了55%,按照這個方式估算晶體管密度大約在7600萬/平方毫米左右,而達到這個水平就意味著臺積電的14nm表現理論可以達到接近臺積電8nm的水準。
并且中芯國際表示,FinFET N+1工藝在2021年實現規模化量產,所以說目前來看,我們在高階芯片領域已經有了保障,所以說,臺積電真的該醒醒了,我們對于高階芯片的制造并非是無法實現,這就像當年外界還質疑我們無法實現28nm的芯片量產一樣,現在看來是多么可笑,如今中芯國際的28nm早就被突破好多年了,甚至可以說,只要等待上海微電子28nm光刻機成功突破,我們的28nm產線可以實現完全性的國產化布局。
另外,目前中芯國際還在布局FinFET N+2工藝的研發,一旦突破,將會給我們帶來更大的驚喜,而這一點也有賴于梁孟松博士,如果說中芯國際的成功,最核心的兩個人就是張汝京和梁孟松,張汝京創造了中芯國際,給了國內芯片制造高水平發展的平臺,而梁孟松卻是后來的推動者,推動著中芯國際芯片工藝水平的高端化邁進,相信在梁孟松博士和中芯國際團隊的努力下,后續中芯國際追上全球一線水平只會是時間的問題,并且這個時間不會太久,畢竟曾經的梁孟松博士就帶領了工藝落后的三星電子實現了翻身逆襲,讓三星電子如今在芯片代工市場上有能力和臺積電平分秋色。
因此,外媒也是給出評論表示,在14nm領域中芯國際做到了從無到有的大突破,接下來更高精度的突破也一定會到來,當然,目前我們所追求的不光是工藝水平的突破,由于芯片規則的改變,目前我們追求的是整個半導體產業鏈的突破,而在這個過程中,不光中芯國際在努力,類似于中科院、清華大學、華為、阿里巴巴等眾多的企業、高校、科研單位都在努力加碼,并且在每個領域都有扛大旗的領導者,相信很快臺積電和劉德音就會看到,哪怕是沒有臺積電,我們在高階芯片的發展上也不會出現缺失的情況,屆時臺積電將會為自己的傲慢感到后悔。
你看好國產芯片技術的發展嗎?
本文轉自:C君科技
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