俗話說,出名要趁早。
對于ASML而言,自由出貨也要趁早,因為晚了,市場就是歸別人了,這不是夸大其詞。
都知道,ASML是光刻機巨頭,在全球范圍內,ASML的光刻機制造技術是最先進的,其研發制造的DUV光刻機和EUV光刻機可以說目前還沒有競爭對手。
關鍵是,ASML的EUV光刻機還是各大晶圓廠商擠破頭都想買到的產品。
臺積電為什么產能高、良品率高,因為他拿走了ASML一半的EUV光刻機;
三星為啥良品率不如臺積電,就是因為EUV光刻機數量不足,李在镕都親自協商購買更多。
這么好設備,但ASML卻不能自由出貨,EUV光刻機不僅不能自由出貨,也不能出貨到外企中國分廠。即便是DUV光刻機,出貨也受到了一定的限制。
如今,美又進一步對ASML進行游說,希望ASML進一步收緊國際需求光刻機的出貨范圍,實際上想進一步約束DUV光刻機出貨。
結果在ASML面前碰釘了,因為ASML明確表示中斷DUV光刻機會導致半導體產業鏈中斷,并表示要意識到國內廠商在全球芯片產業鏈中的重要性。
ASML如此強硬的表態,也是歷來首次。
但卻有外媒表示是ASML沒有時間了,必須加速出貨,如果DUV光刻機被進一步約束,那么,ASML的市場就會被進一步瓜分,原因是新技術不斷出現。
首先,芯片制造新技術不斷出現。
要想生產制造芯片,就比必須得有光刻機,這種情況只能放在過去,因為當下的技術,即便是沒有先進的光刻機,也能夠制造出來5nm等制程芯片。
據悉,NIL工藝就是佳能、鎧俠等聯合推出了新的技術,在不使用EUV光刻機,就能將芯片制程縮小至5nm,不僅省下了EUV光刻機的設備錢,還能節約大量的電費。
目前,鎧俠等已經開始用NIL工藝生產制造15nm等制程的芯片,并計劃在全球范圍內推廣該技術。
另外一種技術也實現突破,其就是壓印技術,并實現了紫外硬化納米壓印(UV-NIL)創建 10 納米以下分辨率形貌的突破。
關鍵是,UV-NIL 技術不需要高溫高壓條件,還具有低成本制備媲美光學光刻質量圖形的潛力。
用一句話形容就是,用UV-NIL工藝生產制造10nm芯片的成本更低,過程不復雜。相比DUV、EUV工藝而言,優勢多多,所以ASML必須要加速出貨。
其次,堆疊技術和先進封裝技術的芯片。
要想提升芯片的性能,只能降低芯片的制程,這也成為過去時,因為堆疊技術和先進封裝技術都不需要改變芯片制程,就能夠提升芯片性能。
例如,堆疊技術通過將多核芯片拼接,從而讓多核性能翻倍,蘋果M1 Ultra就是最好的例子;
先進的封裝技術在不改變芯片制程的情況下,可以將芯片性能提升40%,并增加晶體管的密度。
無論是堆疊技術的芯片還是采用先進封裝技術的芯片,都已經開始商用,這相當于進一步降低了對ASML 先進光刻機的依賴。
最后,國產光刻機技術進步很快,光源技術、浸潤系統等都已經取得了突破,更先進的光電芯片也開始進入快速發展階段。
其中,荷蘭已經投資超11億歐元發展光電芯片技術,德國也開始展開相關課題研究。
但是,在光電芯片領域內,華為是處于絕對的領先地位,任正非都明確表示,光電芯片可完全繞開ASML的光刻機。
所以外媒才說ASML沒有時間了,再不加速出貨,其它技術普及后,ASML會更難過。
本文轉自:白蘿卜科技
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