臺積電官宣兩個新消息，信息量較大！外媒：明白了

芯片已經成為當下最主要的元器件之一，而臺積電又是全球芯片制造技術最先進的廠商，于是，很多國家和地區都主動邀請臺積電建廠。

芯片等規則被修改后，臺積電已經宣布在包含美日等地區建設6座工廠，擴大芯片產能。

結果進入2022年后，臺積電就不斷傳來事關建廠的消息。

例如，臺積電稱在美建廠成本太高，120億美元的投資根本不夠，選擇在美建廠是我們太天真了。

臺積電表示美補貼的520億的資金，不應該只給本土芯片企業，也應該給那些在本土建廠的國外企業。

從臺積電的表態上看，臺積電在美建廠并非主動意愿。如今，臺積電又官宣兩個新消息，關鍵是信息量較大。

第一個消息，臺積電N3工藝將于2022年內量產，后續還有N3E、N3P、N3X 等，N2（2nm）工藝將于2025年量產。

其中，2nm芯片將會采用環繞柵極晶體管，在相同功耗下，N2比N3E速度快10~15%；相同速度下，功耗降低25~30%，密度也將提升10%。

據了解，這已經是臺積電第三次提到2nm芯片，同時，臺積電也已經正式開建2nm芯片工廠，這意味著臺積電有望在2024年試產，2025年正式量產基本沒問題。

第二個消息，ASML出貨量一半的EUV光刻機都安裝到了臺積電，憑借EUV光刻機的優勢，臺積電先進制程的芯片產能高、良品率也高。

據悉，ASML已經推出了升級版的EUV光刻機，NA值為0.55，但臺積電卻沒有大量購買NA 0.55的EUV光刻機，依舊采用使用NA 0.33的EUV光刻機。

如今，臺積電正式對外透露，將會在2024年正式擁有High-NA EUV 光刻機，該型號的光刻機將會把芯片制程縮小至2nm以下。

其實，ASML之前也曾表示，全新一代High-NA EUV 光刻機的原型機將會在2023年完成，將會在2024年交付廠商測試，2025年就能夠規模上市。

可以說，臺積電宣布的這兩個消息，透露了很大信息，甚至都有外媒表示明白了。

因為臺積電在美建設5nm芯片生產線，2024年在美量產5nm芯片，但該技術與臺積電最先進的技術相比，仍落后兩代左右。

畢竟，臺積電2024年就將試產2nm制程的芯片，2025年正式量產，而5nm到2nm還隔著3nm工藝等。

從這一點來看，臺積電打心底就不想給美最先進的芯片制造技術。

另外，美日等已經正式聯合秘密研發2nm制程的芯片，并計劃在未來實現更多2nm芯片在本土生產制造，盡管如此，但對臺積電而言，根本不會帶來影響。

原因是臺積電已經確定了2nm芯片方向，工廠也已經正式啟動建設，2024年就能夠試生產，這意味著臺積電基本上掌握了2nm芯片的相關制造技術等。

最主要的是，臺積電的芯片制造技術之所以領先，除了自身研發投資高、制造技術先進外。

也得益于ASML優先將先進的光刻機供貨給臺積電，EUV光刻機就是最好的例子。

如今，臺積電再次透露，在全新一代High-NA EUV 光刻機上，臺積電將有優先供貨權，這意味著在先進光刻機等設備上,臺積電仍將領先三星等廠商。

也就是說，在2nm及以下制程的芯片上，臺積電仍持續領先，不僅產能會領先于三星等廠商，良品率也將高于三星等廠商，畢竟，設備優勢是無法改變的。

也正是因為如此，外媒才說臺積電正式官宣兩個新消息，信息量較大，明白了。對此，你們怎么看，歡迎留言、點贊、分享。

本文轉自:白蘿卜科技